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在晶圆代工这片没有硝烟的战场上，先进制程的每一次迭代都牵动着全球科技界的神经。如今，这场竞赛已然迈入1.4nm时代:高昂的研发成本与严苛的技术门槛正将摩尔定律推向真正的极限，尽管如此，随着半导体产业上升至国家战略高度，价格已不再是唯一的考量。顺带一提，1.4nm也常写作14 A，但3nm、2nm乃至1.4nm等节点名称，如今更多只是区分新旧工艺的“旗号”，与实际晶体管的物理尺寸早已脱钩。
作为1.4nm赛道的三大玩家，台积电、英特尔与三星堪称大型的“三国志”，在性能与工艺的博弈中各自布局。然而在良率、产能、客户需求多元化与经济投入等多重压力交织下，这场全球顶尖企业的技术竞赛，正悄然出现分歧与变数。
三星1.4nm延期
原本雄心勃勃的三星电子，在6月1日的“SAFE Forum 2025”上正式宣布，其1.4nm半导体的量产目标将推迟至2029年，比此前规划足足晚了两年。原定今年第二季度动工的 1.4nm测试线建设也已暂缓，投资计划推迟至今年年底或明年上半年。这不仅比竞争对手台积电的2028年目标晚了一年，更是引发了业界对三星晶圆代工部门一系列深层问题的关注。现在来看，三星离到2030年争取“晶圆代工一哥”的梦想又远了一步。
为何延期？普遍解读认为，这正是三星 Foundry 应对当前亏损局面的策略性举动。据悉，去年由于主要客户流失，三星晶圆代工部门亏损高达 4万亿韩元；而今年一季度，亏损也达到惊人的2万亿韩元。面对业绩压力，三星电子决定将精力集中在眼前的制程改进上，而不是大举投资先进技术。
因此，三星正试图通过提高2nm或更高工艺的成熟度和稼动率来提升盈利能力，与其盲追先进制程，不如先把手里的量产工艺的良率提一提。据知情人士透露，目前三星2nm制程的制造良率约为40%，而台积电已突破60%，达到稳定量产的门槛。据悉，2nm制程按原计划于今年量产，并计划在2028年前，重点稳定和完善SF2P(第二代)和SF2X(第三代)技术；同时，通过提升4nm、5nm和8nm这些相对成熟工艺的运营率来确保盈利。甚至有消息称，三星已要求合作伙伴专注于开发相关IP，以提高这些工艺的吸引力。
为了确保下半年发布的采用2nm制程的应用处理器 Exynos 2600顺利量产，三星代工部门首席技术官南锡宇正亲自组建并运营2nm任务组(TF)团队。毕竟，如果良率持续停留在20-30%的低位，即使是自家芯片，也难以保证供应。此外，争取特斯拉、高通等北美大型科技公司的2nm订单，也是三星未来提升营收的关键。
据中央时报报道，一位半导体行业消息人士表示:“三星电子的代工厂一直专注于尖端节点的竞争，在工艺不稳定的情况下多次进入下一代工艺，导致良率下降，并失去了客户信任。加强代工厂实力的决定可以被视为一个积极的举措。”
英特尔改押14A，18A何去何从
另一边，英特尔晶圆代工部门的日子也不好过。最近，路透社爆出猛料:英特尔首席执行官陈立武正考虑将晶圆代工的重心转向“14A”芯片制造工艺，而前任CEO基辛格力推的 “18A”制程可能面临被取消或削减优先级的风险。
18A曾是RibbonFET和PowerVia等先进技术的“代际飞跃”，英特尔此前对其寄予厚望。 晶体管，与FinFET相比，它提高了密度和性能。)路透社报道称，英特尔的18A工艺被认为与台积电的3纳米工艺处于同一水平。
RibbonFET和PowerVia的示意图
为何有此变动？
18A对客户吸引力不足: 虽然18A已赢得亚马逊和微软等客户，但它最初更多是为英特尔自身产品设计，其目标是在 2025 年晚些时候提高其“Panther Lake”笔记本电脑芯片的产量。对于亟需赢得更多外部代工客户的英特尔而言，18A的吸引力似乎不够。
代工业务亟需突破:英特尔代工部门急需客户订单。与其在已经“迟到”的18A上死磕，不如将更多资源投入到更有潜力的14A制程。
按照原计划，英特尔的18A衍生版本18A-P将于2026年推出，18A-PT将于2028年推出。根据Wccftech的说法，18A-PT尤其引人注目，因为它将成为英特尔第一个支持Foveros Direct 3D混合键合的节点，使其能够采用台积电先进的互连技术。
陈立武认为英特尔如果要与台积电竞争，那就只有在14A制程上占有优势。早在去年2月，英特尔就将14A其纳入先进制程时间表，并在今年的“Intel Foundry Direct Connect 2025”上公布 14A将于2027年进行风险试产，其衍生版本14A-E也计划同年生产。如果这一重心转移成真，将是英特尔连续第二个降低优先级的节点，更可能意味着英特尔未来几年将“实质性退出”代工市场，后果不可谓不严重。
从技术上看，intel 14A相比18A将更进一步，采用第二代环绕栅极技术RibbonFET 2和第二代背面供电网络PowerDirect。此外，14A还使用了增强型单元技术Turbo Cells，它与 RibbonFET 2 配合使用时可进一步提高速度。Turbo Cells允许设计人员在设计模块内优化性能更高的单元和更节能的单元组合，从而针对目标应用实现功耗、性能和面积之间的平衡。相较前代，14A性能提升15%至20%，芯片密度提升近30%，功耗预计降低25%以上。
值得一提的是，英特尔在 High NA EUV 的采用上走在前列，已在奥勒冈安装了第二台High NA EUV。英特尔强调，14A可以兼容Low或High NA解决方案，并且对客户设计规则没有影响。
尽管技术实力雄厚，英特尔仍面临重重障碍。台积电和三星等竞争对手正在积极扩展自身制程，而英特尔为保持领先地位而每年投入的400多亿美元资本支出，可能会使其资产负债表捉襟见肘。14A制程节点2026年的发布时间表也取决于能否解决高数值孔径EUV光刻机的良率问题，鉴于ASML的此类光刻机供应有限，这项任务十分复杂。
此外，客户采用的时间表尚不确定。尽管微软的 18A 芯片进展顺利，但英伟达和AMD等主要 AI 公司目前仍主要依赖台积电。英特尔的成功取决于能否让这些公司相信其节点能够提供卓越的PPAC指标——这一说法必须通过量产来证明。
无论如何，英特尔的14A/18A路线图代表着其重夺半导体制造领域领导地位的最佳机会。英特尔只有放手一搏。
台积电在1.4nm稳扎稳打
作为行业龙头，台积电是最被寄予厚望的能在1.4nm先声夺人的企业。毕竟在前几代的节点上，台积电就展示出了较强的优势，例如三星虽然在3nm比台积电更早一些，但是良率却不及台积电。3nm并没有为三星赢来更多客户，反而流失。事实证明，“先交卷的不一定是答的最好的。”对于晶圆代工行业，真正的领先在于技术的成熟与稳定的量产能力。
A14是台积电的第二代纳米片晶体管，与N2相比，它被认为是一个全节点 (PPA)。A14亦采用「NanoFlex Pro」创新标准单元架构，以实现更好的效能、能源效率和设计灵活性。在相同功率下速度提升10-15%，在相同速度下功耗降低 25-30%，逻辑密度提升1.2倍。
台积电预计A14将于2028年投入生产，目前开发进展顺利，良率已提前实现。
有趣的是，台积电在新节点的研发上，对于新技术的采用始终保持着相对谨慎和保守的姿态。原因在于，一旦在工艺中引入多项尚未充分验证、风险边界较高的新技术，良率曲线的“爬坡”期就会显著延长，从而拖慢从试产到量产的整体速度。而台积电的保守策略，恰恰能够在成熟度不足的新技术与大规模交付需求之间寻得平衡，缩短风险试产周期，快速抢占市场份额。
具体来看:
成本—收益权衡:High-NA EUV 光刻机的单台采购与维护成本，几乎是普通 NA EUV 的 2.5 倍以上，还需额外的工艺调试和配套材料投入，显著推高晶圆成本。对于面向大众消费市场的 A14 芯片，一旦采用 High-NA EUV，不仅会使制造成本暴增，整机 BOM 难以压缩，还可能因溢价过高而影响 OEM 厂商的采购决策。
良率爬坡与稳定交付:在普通 NA EUV 设备及相关配套尚未完成充分良率验证、风险可控之前，贸然切换会延长良率提升的时间窗口，甚至发生交付延迟。台积电先在 A14、N2 等首代产品上不引入背面供电与超级电源轨(SPR)，待下游设计工具链及材料生态进一步完善后，再在 A16 及 A14P 等改良节点上分阶段导入，从而确保主流市场的交付节奏。
分客户群、分市场定位，有的放矢:对于 A14 这样面向高端智能手机与消费电子的主流节点，性价比往往优先于极限性能；而 A14P、A16 等增强版工艺，则更多针对对性能和功耗极度敏感、愿意为溢价买单的服务器、AI 加速卡等领域。在技术成熟度和市场需求之间，台积电通过差异化布局，实现了“稳中求进”的商业价值最大化。
虽然台积电业务发展资深副总张晓强也曾指出，High-NA EUV 在逻辑芯片领域对 1.5D/2D 设计自由度、制程步骤简化及产能提升均有显著价值，但从 2nm 到 A14 制程，台积电并不急于一次性将所有前沿技术引入主流节点，而是选择在后续可承受成本溢价的 A14P 制程中，再逐步采用 High-NA EUV。此举既保证了主流产品的成本可控与交付稳定，也为更高端应用提供了充分的技术支撑。
总结
按照时间轴来看，英特尔14A的投产时间在2027年，台积电在2028年，三星在2029年。在High-NA EUV光刻机的采用方面，英特尔是“第一个吃螃蟹的人”，台积电略显谨慎，三星还没有明确表示用不用，只说正在评估在其1.4nm代工工艺中使用高NA EUV工具的可能性。
这场1.4nm的竞赛，不仅是技术实力的比拼，更是战略决策、市场定位和盈利能力的综合考量。谁能在这场先进制程的“三国志”中脱颖而出，让我们拭目以待！
今天是《半导体行业观察》为您分享的第4085期内容，欢迎关注。
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